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倒装芯pian技术可yicong根本上消除wen题
fa布者:admin 添加时间:2020/5/4 浏览次shu:111
通过MOCVD技术在兰bao石衬di上生changGaN基LED结构ceng,由P/N结fa光区fa出的光tou过上面的P型区射出。由于P型GaN传导性能不jia,weihuo得良好的电流扩展,需yao通过zhengdu技术在P区表面形成一cengNi-Au组成的金属电极ceng。P区引线通过该ceng金属薄膜引出。weihuo得好的电流扩展,Ni-Au金属电极ceng就不能太薄。weici,器件的fa光效率就会shou到很daying响,通常yaotong时兼顾电流扩展与出光效率二个因素。但无论在什me情况下,金属薄膜的存在,总会使tou光性能变差。ci外,引线焊dian的存在也使器件的出光效率shou到ying响。采yongGaNLED倒装芯pian的结构可yicong根本上消除上面的wen题。

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